先進パワー半導体ウエハ加工技術に関する専門展『SiC，GaN加工技術展2025』が「GTJ2025」と同時開催へ
これまで３回にわたり、研削加工の専門技術展として好評を博してきた「Ｇｒｉｎｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｊａｐａｎ（ＧＴＪ）」の２０２５年展では、初となる『ＳｉＣ，ＧａＮ加工技術展』が同時開催される。会期は２０２５年３月５日（水）～７日（金）の３日間。開場時間は10時～17時。会場は幕張メッセ（千葉市美浜区）・７‐８ホール。両展とも９月30日まで出展者募集中。（主催・日本工業出版、産経新聞社）
２０５０年のカーボンニュートラル社会の実現には、モビリティーの電動化（ＥＶ）の推進や再生可能エネルギーの主力電源化が不可欠であり、ＳｉＣ（炭素とケイ素の化合物），ＧａＮ（ガリウムと窒素の化合物）などの先進パワー半導体を用いた高度なパワーエレクトロニクス技術の普及が最重要となってきている。そのため、先進パワー半導体ウエハの量産化・低コスト化が強く望まれているが、これらの材料は非常に硬く、熱や薬品にも強いため、加工には非常に時間がかかっており、高額な加工コストの低減が喫緊の課題となっている。
『ＳｉＣ，ＧａＮ加工技術展』は、これらの先進パワー半導体ウエハ加工に携わる技術者、技能者、また先進パワー半導体の研究者、さらにそれらを学ぼうとする人たちのための展示会で、出展者は、それら課題を持った来場者に対し、最新の技術・知識で最良の回答を用意できると考えている。『ＳｉＣ，ＧａＮ加工技術展』には、先進パワー半導体ウエハ加工に関連するスライシング（切断）、研削・研磨・ＣＭＰ（ウエハの表面を平らに磨く）加工技術を中心に、ウエハ評価技術などさまざまな技術も多数展示される。
また同展には、砥粒加工分野を主な研究対象として活動している砥粒加工学会および、ＳｉＣ，ＧａＮ、ダイヤモンドなど先進パワー半導体を研究対象としている応用物理学会先進パワー半導体分科会が特別協力団体として参加する。先進パワー半導体ウエハ加工を進展させるためには、技術・技能に加えて、理論的な裏付けが重要であることに議論の余地はなく、『ＳｉＣ，ＧａＮ加工技術展』において砥粒加工学会等の協力団体では、アカデミックな立場から、加工の理論解説をするとともに、半導体ウエハ加工技術の将来についても展望する。
スーパーバイザーに河田研治氏が就任
なお、同展のスーパーバイザーとして、長年研磨加工の研究に従事し、産業技術総合研究所招聘研究員としても務めていた、河田研治氏が就任し、専門家の立場で『ＳｉＣ，ＧａＮ加工技術展』をサポートしていく。
▲前回の「ＧＴＪ２０２３」会場俯瞰。来年は『SiC，GaN加工技術展』を併催する
2024年8月10日
